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HawaiianTIL113, 4NXX 시리즈 장치는 각각 달링턴 감지기에 광학적으로 연결된 적외선 방출 다이오드로 구성됩니다. 이 장치는 6핀 DIP 패키지로 제공되며 넓은 리드 간격과 SMD 옵션으로 제공됩니다.
기능 4909101}
(1) 4NXX 시리즈: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 6558} TIL113 시리즈 : TIL113.
(2) 높은 절연 전압 사이 입력 및 출력 (Viso=5000 V rms)
(3) 연면거리 거리 >7.62 mm
(4) 작동 온도 최대 ~ +115°C
(5) 컴팩트 듀얼 인라인 패키지
(6) 안전 승인
UL 승인(No.E323844)
VDE 승인(No.40029733)
CQC 승인 (No.CQC19001231480 )
(7) RoHS 준수 , REACH 표준.
(8) MSL 클래스 Ⅰ
지침
TIL113, 4NXX 시리즈 장치는 각각 달링턴 감지기에 광학적으로 연결된 적외선 방출 다이오드로 구성됩니다. 6핀 DIP 패키지, 넓은 리드 간격 및 SMD 옵션으로 제공됩니다.
적용 범위
저전력 논리 회로
통신 장비
휴대용 전자 제품
서로 다른 전위와 임피던스의 결합 시스템 인터페이싱
최대 절대 정격 값(상온=25℃)
|
매개변수 |
기호 |
정격값 |
단위 |
|
|
입력 |
순방향 전류 |
IF |
60 |
mA |
|
접합 온도 |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
역전압 |
VR |
6 |
V |
|
|
전력 손실(TA = 25°C) 경감 계수(100°C 초과) |
PD |
120 |
밀리와트 |
|
|
3.8 |
mW/°C |
|||
|
출력 |
콜렉터-이미터 전압 |
VCEO |
80 |
V |
|
콜렉터-베이스 전압 |
VCBO |
80 |
||
|
이미터-컬렉터 전압 |
VECO |
7 |
||
|
이미터-베이스 전압 |
베보 |
7 |
||
|
전력 손실(TA = 25°C) 경감 계수(100°C 초과) |
PC |
150 |
밀리와트 |
|
|
6.5 |
mW/°C |
|||
|
총 소비 전력 |
프토트 |
200 |
밀리와트 |
|
|
*1 절연 전압 |
Viso |
5000 |
Vrms |
|
|
작동 온도 |
토퍼 |
-55 ~ + 115 |
℃ |
|
|
입금 온도 |
TSTG |
-55 ~ + 150 |
||
|
*2 납땜 온도 |
TSOL |
260 |
||
*1. AC 테스트, 1분, 습도 = 40~60% 절연 테스트 방법은 다음과 같습니다.
포토커플러의 양쪽 단자를 단락시킵니다.
절연 전압을 테스트할 때의 전류입니다.
테스트 시 사인파 전압 추가
*2. 납땜 시간은 10초입니다.
광전자 특성
|
매개변수 |
기호 |
최소 |
일반* |
맥스 |
단위 |
조건 |
||
|
입력 |
순방향 전압 |
VF |
--- |
1.2 |
1.5 |
V |
IF=10mA |
|
|
역전류 |
IR |
--- |
--- |
10 |
μA |
VR=6V |
||
|
컬렉터 커패시턴스 |
신 |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
출력 |
수집기 기반 암전류 |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
nA |
VCB=10V |
|
|
수집기-이미터 전류 |
ICEO |
--- |
--- |
100 |
nA |
VCE=10V, IF=0mA |
||
|
컬렉터-이미터 감쇠 전압 |
BVCEO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=1mA |
||
|
콜렉터-베이스 항복 전압 |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=0.1mA |
||
|
이미터-콜렉터 감쇠 전압 |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0.1mA |
||
|
TransformingCharacteristics |
현재 전송 비율 |
4N32,4N33 |
CTR |
500 |
--- |
--- |
% |
IF=10mA VCE=10V |
|
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
|
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
|
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
IF=10mAVCE=1V |
||||
|
콜렉터 및 이미터 포화 전압 |
4N29, 4N30, 4N32,4N33 |
VCE(토) |
--- |
--- |
1.0 |
V |
IF=8mA IC=2mA |
|
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1.2 |
IF=8mA, IC=2mA |
||||
|
절연 저항 |
리소 |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
DC500V 40~60%R.H. |
||
|
입출력 용량 |
CIO |
--- |
0.8 |
--- |
pF |
VIO=0, f=1MHz |
||
|
응답 시간 |
tr |
--- |
3 |
10 |
μs |
VCC=10V, IC=10mARL=100Ω |
||
|
하강 시간 |
tf |
--- |
6 |
10 |
μs |
|||
현재 변환율 = IC / IF × 100%
주문 정보
부품 번호
OR-4NXXY-Z-W
또는 OR-TIL113Y-Z-W
참고
4NXX = 부품 번호(4N29,4N30 ,4N31,4N32 또는 4N33)
TIL113= 부품 번호
Y = 리드 양식 옵션(S, M 또는 없음)
Z = 테이프 및 릴 옵션(TA,TA1 또는 없음).
W= VDE 안전을 위한 'V' 코드(이 옵션은 필요하지 않습니다).
*VDE 코드를 선택할 수 있습니다.
|
옵션 |
설명 |
포장 수량 |
|
없음 |
표준 DIP-6 |
튜브당 66개 단위 |
|
남 |
넓은 리드 벤드(0.4인치 간격) |
튜브당 66개 단위 |
|
S(TA) |
표면 실장 리드 폼(로우 프로파일) + TA 테이프 및 릴 옵션 |
릴당 1000개 |
|
S(TA1) |
표면 실장 리드 폼(로우 프로파일) + TA1 테이프 및 릴 옵션 |
릴당 1000개 |